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发光二极管(led)诞生至今.已经实现了全彩化和高亮度化，并在蓝光led和紫光led的基础上开发了白光led.它为人类照明史又带来了?次飞跃。与自炽灯和荧光灯相比供应3d视频策划，led以其体积小，全固态，长寿命 3d视频策划，环保销3d视频策划，省电等一系列优点，已广泛用于汽车照明、装饰照明、手机闪光灯、大中尺寸，即nb和lcd.tv等显示屏光源模块中。已经成为2l世纪最具发展前景的高技术领域之一led是一种注入电致发光器件.由ⅲ～ⅳ族化合物，如磷化镓(gap)、磷砷化镓(gaasp)等半导体制成在~i-dn电场作用下.电子与空穴的辐射复合而发生的电致作用将一部分能量转化为光能.即量子效应，而无辐射复合产生的晶格振荡将其余的能量转化为热能。
随着半导体发光二极管(led)以及电力电子器件的发展，ⅲ族氮化物薄膜材料的制备越来越受到研究者的重视。有关gan材料外延生长、工艺技术以及测试手段的众多突破性进展使得led、半导体激光器以及高迁移率晶体管(hemt)等电子器件实现了产业化。而gan薄膜材料作为诸多应用的基础，人们对于其生长过程与材料特性做了大量研究工作。这些研究对衬底的处理、材料的成核以及晶核合并过程中各种生长参数进行分析综合优化，在得到了高质量gan材料的同时提出了一些外延生长条件与材料质量的相互关系。然而由于外延设备与生长工艺的差别3d视频策划施工，仍需要进一步地研究用以完善或修正这些关系。本文重点关注实验中常用的反应室生长压力范围内(100～500torr)，不同的生长压力对于非掺杂gan薄膜材料光学性能与电学性能的影响。研究发现低压100torr(1torr=133.3224pa)的外延生长条件相对于500torr可以有效地降低ga源与nh3之间的气相反应造成的碳杂质沾污，从而抑制造成pl中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成，所制备的材料体现出更好的光学性能。而不同的生长压力下gan薄膜体现出不同的电学性能，即高压下(500torr)生长的材料通常表现为更高的载流子浓度与更高迁移率，而低压下(100torr)生长的样品通常表现为更低的载流子浓度与更低迁移率。而理想的非掺杂gan材料则通常要求同时具有更低的载流子浓度以及更高的载流子迁移率。
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