Renesas一级代理 R1RW0416DGE-2SR

  • 品牌:
  • 类型:存储器
  • 型号:R1RW0416DGE-2SR
  • 封装:SOJ(44)
  • 提供加工定制:是
  • 处理器速度:具体参考规格书
  • 功率:具体参考规格书
  • 存储容量:4Mb
  • 批号:18+
  • 电源电流:具体参考规格书
  • 电源电压:3.0 to 3.6
  • 频率:具体参考规格书
  • 驱动芯片类型:具体参考规格书
  • 针脚数:具体参考规格书
  • 用途:手机

 renesas一级代理 r1rw0416dge-2sr
存储器分为两大类,一种称为静态ram(static ram/sram),sram芯片读取速度非常快,是目前读写最快的存储芯片,价格也相对比较贵,一般在对存储条件比较苛刻的产品上使用,譬如cpu的一级缓冲,二级缓冲,或者工控智能的产品。另一种称为动态ram(dynamic ram/dram),dram保留数据的时间很短,读取速度也比sram芯片慢,不过它还是比任何的rom都要快,但从价格上来说dram相比sram要便宜很多,计算机内存条就是dram的。
part number density organization(bit) access time(ns) supply voltage(v) operating temperature (°c) packagetype
r1rw0416dsb-2sr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pi 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2lr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pr 4mb x 16 10 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pi 4mb x 16 10 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c tsopii(44)
r1rw0416dge-2sr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c soj(44)
r1rw0416dge-2pr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c soj(44)
r1rw0416dge-2pi 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c soj(44)
r1rw0416dge-2lr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(44)
r1rw0408dge-2pr 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(36)
r1rw0408dge-2pi 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c soj(36)

深圳市英尚微电子有限公司销售部3722389
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