VISHAY SI2306

n沟道超高速开关场效应管。低通态电阻,低压驱动,高效节能。
主要参数：
晶体管类型：p沟道mosfet
最大功耗pd：1.25w
栅极门限电压vgs：2.5v（典型值）
漏源电压vds：－20v（极限值）
漏极电流id：－2.3a
通态电阻rds(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流igss：±100na
结温：55℃to+150℃
封装类型：sot-23
兼容xp151a/si2302/si2306/ao3400sot23 。

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深圳市东品科技有限公司
聂S
18823665100

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